Electrical conductivity in very anisotropic conductors and semiconductors |
| |
Authors: | Gottlieb D. Melo F. Valencia L. R. |
| |
Affiliation: | 1.Depto. de Física, Universidad de Chile, Facultad de Ciencias, Casilla 653, Santiago, Chile ;2.Centro de Física «El Trauco», Juan Fanor Velasco 41-D, Santiago, Chile ;3.Facultad de Ciencia, Depto. de Física, Universidad de Santiago, Casilla 5659, Correo 2, Santiago, Chile ; |
| |
Abstract: | ![]() Summary For very anisotropic metallic and semiconducting systems it is shown that the electrical conductivity in the direction of high effective mass decreases as the number of electrons in the conduction band grows. In the other directions the conductivity behaves normally. Riassunto Si mostra che, per sistemi semiconduttori e metallici anisotropi, la conduttività elettrica nella direzione di massa altamente efficace diminuisce all'aumentare del numero di elettroni nella banda di conduzione. Nelle altre direzioni la conduttività si comporta normalmente. Резюме Для очень анизотропных металлических и полупроводниковых систем показывается, что электропропроводность в направлении большой эффективной массы уменьшается, когда число электронов в зоне проводимости увеличивается. В других направлениях проводимость ведет себя нормальным образом. |
| |
Keywords: | Theory of electronic transport scattering mechanisms |
本文献已被 SpringerLink 等数据库收录! |
|