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| p型热缺陷补偿的n-Ge在室温下的反常Hall效应和反常电导效应 | |
| 引用本文： | 邢旭.p型热缺陷补偿的n-Ge在室温下的反常Hall效应和反常电导效应[J].中国科学A辑,1990,33(8):880-888. |
| 作者姓名： | 邢旭 |
| 作者单位： | 东北师范大学物理系 长春 130024 |
| 摘 要： | 关于n-Ge室温下的反常Hall效应产生的机理,至今尚未得到解决.我们用热处理的方法,对n-Ge样品进行了p型热缺陷的补偿.实验结果发现,补偿前样品呈正常Hall效应和电导效应,补偿后则变为室温下的反常Hall和反常电导效应.我们围绕这一变化进行了实验和理论研究工作,从这些工作中得出,n-Ge室温下的反常Hall效应产生的机理,是在样品中形成了反型层结构. |
| 关 键 词： | 热缺陷 反常Hall效应 反型层模型 |
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