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| 纳米硅薄膜的研制 | |
| 引用本文： | 何宇亮,刘湘娜,王志超,程光煦,王路春,余是东.纳米硅薄膜的研制[J].中国科学A辑,1992,35(9):995-1001. |
| 作者姓名： | 何宇亮 刘湘娜 王志超 程光煦 王路春 余是东 |
| 作者单位： | (1) 南京大学物理系 南京 210008 (2) 南京大学固体微结构实验室 南京 210008 |
| 摘 要： | 使用大量氢稀释硅烷,严格控制PECVD系统中的工艺参数,分别沉积出a-Si:H,nc-Si:H 以及μc-Si:H薄膜.使用HREM,Raman及X射线谱,探讨了nc-Si:H膜的结构特征.结果表明,它已符合国际上对于固体纳米材料的认识.由于结构上的新颖性,使它具有一系列鲜为人知的物性. |
| 关 键 词： | 纳米硅 非晶硅 微晶硅 |
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