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| 表面凹陷对等离子体浸没离子注入均匀性的影响 | |
| 作者姓名： | 曾照明 汤宝寅 王松雁 田修波 刘爱国 王小峰 朱箭豪 |
| 作者单位： | 哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室,黑龙江哈尔滨 150001;香港城市大学物理及材料科学系,香港九龙 |
| 摘 要： | 利用二维流体模型和数值计算方法模拟了等离子体浸没离子注入（ＰⅢ）Ｋ ,具有圆弧凹槽的平面靶周围的鞘层扩展情况,计算了鞘层扩展过程中的电热分布、离子速度和离子密度变化获得了沿靶表面的离子入射角度和注入剂量的分布情况,为等离子体浸没离子注入处理复杂形状靶提供了理论基础。 |
| 关 键 词： | 等离子体浸没离子注入 鞘层 数值模拟 |
| 文章编号： | 1001-246X(2000)04-0449-06 |
| 修稿时间： | 1998-06-08 |
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