| 双带紧束缚模型中噪声对超晶格中电子输运性质的影响 |
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| 作者姓名： | 邵建立 段素青 赵宪庚 |
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| 作者单位： | 北京应用物理与计算数学研究所,北京,100088;北京应用物理与计算数学研究所,北京,100088;北京应用物理与计算数学研究所,北京,100088 |
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| 基金项目： | Supportedin part bythe National Natural Science Foundations of China (Grant No.10274007 and 90103027),a grant of the ChinaAcademy of Engineering and Physics |
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| 摘 要： | 运用直交流电场驱动下的双带紧束缚模型,研究了噪声对超晶格中电子输运性质的影响.数值结果表明,外部噪声能够破坏瞬时电流的周期性并且能够削减长时平均电流的峰值.随着噪声强度的增加,平均电流峰的高度降低,宽度增加;当增大噪声的衰减常数时,平均电流峰会有类似上述变化.
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| 关 键 词： | 双带模型 外部噪声 输运 超晶格 |
| 文章编号： | 1001-246X（2005）05-0425-06 |
| 收稿时间： | 2004-04-20 |
| 修稿时间： | 2004-09-20 |
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