| 生长温度对In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs量子点尺寸的影响 |
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| 作者姓名： | 马明明 杨晓珊 郭祥 王一 汤佳伟 张之桓 徐筱晓 丁召 |
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| 作者单位： | 贵州大学大数据与信息工程学院,贵州大学大数据与信息工程学院,贵州大学大数据与信息工程学院,贵州大学大数据与信息工程学院,贵州大学大数据与信息工程学院,贵州大学大数据与信息工程学院,贵州大学大数据与信息工程学院,贵州大学大数据与信息工程学院 |
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| 摘 要： | 采用分子束外延(MBE)技术制备In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs量子点,利用扫描隧道显微镜(STM)对不同衬底温度下生长的样品进行表征分析.研究表明量子点密度随温度升高先增大后减小,其尺寸随温度的升高而增大.另外,量子点以S-K模式生长并受Ostwald熟化机制影响,其尺寸增大所需的能量来自应变能和温度提供的能量,高温条件下表面原子的解吸附作用会限制量子点的生长.
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| 关 键 词： | MBE In0.5Ga0.5As/GaAs量子 S-K Ostwald |
| 收稿时间： | 2018-04-23 |
| 修稿时间： | 2018-05-23 |
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