| Ce掺杂6H-SiC电子结构和光学性质的第一性原理研究 |
| |
| 引用本文： | 邹江,周婷艳,熊中刚,曾丽娟,吴波. Ce掺杂6H-SiC电子结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 原子与分子物理学报, 2020, 37(2): 267-271 |
| |
| 作者姓名： | 邹江 周婷艳 熊中刚 曾丽娟 吴波 |
| |
| 作者单位： | 遵义师范学院物理与电子科学学院,遵义师范学院物理与电子科学学院,桂林航天工业学院,遵义师范学院物理与电子科学学院,遵义师范学院物理与电子科学学院 |
| |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对未掺杂及Ce掺杂6H-SiC的电子结构和光学性质进行理论计算.计算结果表明,未掺杂6H-SiC是间接带隙半导体,其禁带宽度为2.045 eV,掺杂Ce元素,带隙宽度下降为0.812 eV.未掺杂6H-SiC在价带的低能区,Si-3s、C-2s电子轨道对态密度的贡献较大,在价带的高能区,主要是由Si-3p、Si-3s、C-2p态组成.掺杂后Ce原子的4f轨道主要贡献在导带部分,掺杂后电导率提高.未掺杂时,只有一个介电峰,是价带电子跃迁到导带电子所致,掺杂后有两个介电峰,第一个介电峰是由于导带电子跃迁到Ce原子4f轨道上产生,第二个峰是价带电子向导带电子跃迁产生.未掺杂6H-SiC,在能量为10.31 eV处吸收系数达到最大值,掺杂后在能量为6.57 eV处,吸收系数达到最大值.
|
| 关 键 词： | 第一性原理；掺杂；6H-SiC；电子结构；光学性质； |
| 收稿时间： | 2019-04-19 |
| 修稿时间： | 2019-05-14 |
First principles study of electronic structures and optical properties of Ce doped 6H-SiC |
| |
| Zou Jiang,Zhou Ting-Yan,Xiong Zhong-Gang,Zeng Li-Juan and Wu Bo. First principles study of electronic structures and optical properties of Ce doped 6H-SiC[J]. Journal of Atomic and Molecular Physics, 2020, 37(2): 267-271 |
| |
| Authors: | Zou Jiang Zhou Ting-Yan Xiong Zhong-Gang Zeng Li-Juan Wu Bo |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | First Principles Doped 6H-SiC Electronic Structure Optical Properties |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《原子与分子物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《原子与分子物理学报》下载全文 |
|
