[Ni(dpedt)(dddt)]系列衍生物电子光谱和二阶非线性光学性质的密度泛函研究 |
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引用本文: | 蔺彬彬,许云杰,孙世玲.[Ni(dpedt)(dddt)]系列衍生物电子光谱和二阶非线性光学性质的密度泛函研究[J].分子科学学报,2013(3):183-189. |
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作者姓名: | 蔺彬彬 许云杰 孙世玲 |
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作者单位: | 哈尔滨学院工学院;内蒙古自治区煤炭工业技术学校;东北师范大学化学学院功能材料化学研究所 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(20971020) |
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摘 要: | 采用密度泛函理论B3LYP/LanL2DZ/6-31+G(d)方法,对实验合成的Ni(dpedt)(dddt)]及以Ni(dpedt)(dddt)]为基础设计的系列衍生物的电子光谱和二阶非线性光学(NLO)效应进行计算分析.结果表明:配合物电子吸收光谱出现在近红外区,最强激发主要源于配体间的电荷转移(LLCT),并伴有一定的配体与金属间电荷转移(LMCT).体系各分子的二阶NLO系数βtot值较大,前线轨道能隙的大小影响体系的βtot值,能隙小则βtot值大,其中分子7βtot值最大.同时深层占据轨道与空轨道之间的电子跃迁对二阶NLO性质的贡献比较显著.
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关 键 词: | [Ni(dpedt)(dddt)]系列衍生物 二阶非线性光学性质 密度泛函理论 |
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