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| Rb2TeW3O12电子结构及光学性质的第一性原理研究 | |
| 作者姓名： | 张勇 唐超群 戴君 |
| 作者单位： | 华中科技大学物理系,武汉 430074 |
| 摘 要： | 采用平面波超软赝势法对Rb2TeW3O12基态的几何结构、能带结构和光学特性等进行了系统的研究.几何结构研究不仅对基态平衡时的几何参量进行了优化计算,还对内部坐 标做了优化,其结果和实验测量值符合得很好.电子结构的研究表明,Rb2TeW3O12 属于宽禁带直接带隙半导体,禁带宽度为223eV,W 5d和O 2p轨道之间强烈杂化形成W— O共价键.计算了光学性质,给出了Rb2TeW3O12的介电函数实部ε1、虚部ε 2及相关光学参量,理论计算的静态介电常数为529
关键词：
Rb2TeW3O12
电子结构
介电函数
密度泛函理论 |
| 关 键 词： | Rb2TeW3O12 电子结构 介电函数 密度泛函理论 |
| 收稿时间： | 2004-05-25 |
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