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| 1．55μm InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长 | |
| 引用本文： | 祝进田,李玉东,胡礼中,陈松岩,胡朝辉,刘式墉.1．55μm InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长[J].光子学报,1994(3). |
| 作者姓名： | 祝进田 李玉东 胡礼中 陈松岩 胡朝辉 刘式墉 |
| 作者单位： | 集成光电子学国家重点联合实验室，吉林大学电子科学与技术研究所 |
| 摘 要： | 本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。 |
| 关 键 词： | 应变量子阱激光器 LP－MOCVD三甲基镓 三甲基铟 |
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