| 钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算 |
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| 引用本文： | 陈俊,王希恩,严非男,梁丽萍,耿滔.钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算[J].人工晶体学报,2014,43(1):188-192. |
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| 作者姓名： | 陈俊 王希恩 严非男 梁丽萍 耿滔 |
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| 作者单位： | 上海理工大学理学院,上海,200093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61008044) |
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| 摘 要： | 本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能.结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(Vo2+和Vcd2-)存在.晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低的生成能,是CdMoO4晶体的主要缺陷类型.Cd的夫伦克儿缺陷在高温条件下将起重要作用,由氧空位引起的F心和F+心与700 nm吸收带的形成有关.
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| 关 键 词： | 模拟计算 CdMoO4晶体 GULP 本征点缺陷 |
Computer Simulating Calculation of Intrinsic Defects in CdMoO4 Crystal |
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| CHEN Jun,WANG Xi-en,YAN Fei-nan,LIANG Li-ping,GENG Tao.Computer Simulating Calculation of Intrinsic Defects in CdMoO4 Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(1):188-192. |
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| Authors: | CHEN Jun WANG Xi-en YAN Fei-nan LIANG Li-ping GENG Tao |
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