| 孤立分散在SiO2基质中的半导体InSb纳米颗粒界面效应的MS-XANES研究 |
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| 引用本文： | 陈栋梁,吴自玉,韦世强.孤立分散在SiO2基质中的半导体InSb纳米颗粒界面效应的MS-XANES研究[J].中国物理 C,2006,30(5):476-480. |
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| 作者姓名： | 陈栋梁 吴自玉 韦世强 |
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| 作者单位： | 中国科学院高能物理研究所，中国科学院高能物理研究所，中国科学技术大学国家同步辐射实验室 北京 100049，北京 100049，合肥 230029 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目
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国家杰出青年科学基金
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中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 利用MS-XANES计算研究了嵌入在SiO2介质中的InSb纳米颗粒的界面效应, 结果显示Sb K-XANES实验谱在白线峰强度增大和白线峰向高能一侧展宽这两个特点的起因是: 1. SiO2介质透过界面处强的Sb-O共价键间接地影响和改变了InSb团簇中Sb原子内部的势分布; 2. 通过InSb纳米颗粒界面处存在着强的Sb-O共价键使得Sb原子的5p电子被耗尽来提高InSb纳米颗粒Sb原子的5p的空穴数. 这两方面共同决定了InSb纳米颗粒的Sb K-XANES实验谱在白线峰
强度的增大. 此外, 由于纳米颗粒的界面效应, 仅仅把白线峰的强度增大归因于吸收原子电荷转移带来的空穴数增加, 并依此通过白线峰的强度计算吸收原子的空穴数是不合理的.
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| 关 键 词： | InSb纳米颗粒 界面效应 MS-XANES计算 |
| 收稿时间： | 2005-08-22 |
| 修稿时间： | 2005-08-22 |
MS-XANES Studies on the Interface Effect of Semiconductor InSb Nanoparticles Embedded in a-SiO2 Matrix |
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| CHEN Dong-Liang,WU Zi-Yu,WEI Shi-Qiang.MS-XANES Studies on the Interface Effect of Semiconductor InSb Nanoparticles Embedded in a-SiO2 Matrix[J].High Energy Physics and Nuclear Physics,2006,30(5):476-480. |
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| Authors: | CHEN Dong-Liang WU Zi-Yu WEI Shi-Qiang |
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| Institution: | 1 Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China; 2 National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei 230029, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InSb nanoparticle interface effect MS-XANES |
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