| 大直径6H-SiC单晶的生长 |
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| 引用本文： | 徐现刚,胡小波,王继扬,蒋民华.大直径6H-SiC单晶的生长[J].人工晶体学报,2003,32(5):540-540. |
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| 作者姓名： | 徐现刚 胡小波 王继扬 蒋民华 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家863计划，国家自然科学基金(60025409)的资助 |
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| 摘 要： | SiC是一种重要的半导体材料,它具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一。上世纪90年代以来,各国竞相投入大量的人力、物力进行SiC单晶的研究和产业化工作,我国在国家重大计划中进行了SiC单晶的生长研究,也取得一定成绩,但是至今可重复的大直径单晶生长一直没有得到解决。本文报道了在
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| 关 键 词： | 6H-SiC单晶 单晶生长 直径 半导体材料 碳化硅 |
Growth of Mono-crystalline 6H-SiC with Large Diameter |
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