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用溶胶-凝胶方法制备Tb3+掺杂的硅基发光材料
引用本文:谢大弢,吴瑾光,马 刚,闫文飞,周维金,徐光宪,徐端夫,陶 靖,秦国刚.用溶胶-凝胶方法制备Tb3+掺杂的硅基发光材料[J].物理学报,1999,48(9):1773-1780.
作者姓名:谢大弢  吴瑾光  马 刚  闫文飞  周维金  徐光宪  徐端夫  陶 靖  秦国刚
作者单位:(1)北京大学物理系,北京 100871; (2)北京大学稀土材料化学及应用国家重点实验室,北京 100871; (3)中国科学院化学研究所,北京 100080
基金项目:国家重点基础研究发展规划和国家自然科学基金(批准号:29671002)资助的课题.
摘    要:报道了用溶胶-凝胶方法制备Tb3+掺杂的硅基发光材料.并用荧光光谱、傅里叶变换红外光谱、原子力显微镜、差热分析和热重测定等方法研究了材料的制备规律.实验结果表明该制备方法在500℃的退火条件下即可以使Tb3+掺杂到硅基发光材料产生室温下的545nm荧光;稀土离子的掺杂浓度可任意调节,最佳浓度为5×1019/cm3;薄膜在微米量级上有较好的平整度.用该方法在改善材料的掺杂浓度、发光性能及降低材料的退火温度方面有特殊的优越 关键词

关 键 词:溶胶凝胶法  掺杂  发光材料  硅基  稀土离子
收稿时间:1998-11-05

PREPARATION OF Tb3+-ION-DOPED Si-BASED LIGHT-EMITTING MATERIALS WITH SOL-GEL METHOD
XIE DA-TAO,WU JIN-GUANG,MA GANG,YAN WEN-FEI,ZHOU WEI-JIN,XU GUANG-XIAN,XU DUAN-FU,TAO JING and QIN GUO-GANG.PREPARATION OF Tb3+-ION-DOPED Si-BASED LIGHT-EMITTING MATERIALS WITH SOL-GEL METHOD[J].Acta Physica Sinica,1999,48(9):1773-1780.
Authors:XIE DA-TAO  WU JIN-GUANG  MA GANG  YAN WEN-FEI  ZHOU WEI-JIN  XU GUANG-XIAN  XU DUAN-FU  TAO JING and QIN GUO-GANG
Abstract:By sol-gel process and appropriate heat treatment,Tb3+-doped light-emitting films were prepared on the silicon bases.The structural changes of the xerogels and the fluorescence properties of the Tb3+ ions doped were studied by photol
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