|
|||||
|
|
| 电场调谐InAs单量子点的发光光谱 | |
| 作者姓名： | 常秀英 窦秀明 孙宝权 熊永华 倪海桥 牛智川 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京 100083 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 60676054)资助的课题. |
| 摘 要： | 采用稳态和时间分辨发光光谱,研究了生长在p-i-n二极管结构内的InAs单量子点发光光谱的电场调谐特性.随着电场强度的增加,观察到量子点中激子发光的Stark 效应.通过选择不同波长的激光线激发量子点样品,发现随着电场强度的增加导致量子点发光强度的减弱,这是由于量子点俘获载流子概率的减小所致,而激子寿命的增加源于电场导致激子的Stark效应.
关键词：
InAs单量子点
Stark效应
电子-空穴分离 |
| 关 键 词： | InAs单量子点 Stark效应 电子-空穴分离 |
| 收稿时间： | 2009-07-10 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |