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| (Si)n/(Ge)n超晶格几何结构 | |
| 作者姓名： | 资剑 张开明 |
| 作者单位： | 复旦大学物理系,上海,200433 |
| 摘 要： | 本文用Keating模型计算了Si1-xGex(x=0—1)作衬底、沿(100)方向生长的(Si)n/(Ge)n(n=1—6)应力超晶格的几何结构,并讨论了衬底对超晶格生长的影响,计算结果发现对于(Si)n/(Ge)n超晶格,用适当的Si1-xGex作衬底有利于超晶格的生长。
关键词： |
| 关 键 词： | Si Ge 超晶格 生长 几何结构 |
| 收稿时间： | 1989-10-19 |
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