| Re掺杂对Hg系超导体U-J关系的影响 |
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| 作者姓名： | 张军 孙学峰 赵霞 李晓光 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥,230026;中国科学院内耗与固体缺陷开放研究实验室,合肥,230031 |
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| 基金项目： | 国家超导中心资助项目,国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 本文研究了Ｈｇ０．７Ｃｒ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ,ＨｇＢａ２Ｃａ２Ｃｕ２．９Ｒｅ０．１Ｏｙ,ＨｇＳｒ２Ｃａ３Ｃｕ３．８Ｒｅ０．２Ｏｙ的磁性,发现Ｒｅ的掺入会改变Ｕ Ｊ关系．由驰豫测量结果分析得到Ｈｇ（Ｒｅ） １２２３,Ｈｇ（Ｒｅ） １２３４具有对数钉扎势Ｕ＝Ｕ０Ｈ－ｎｌｎ（Ｊｃ０／Ｊ）,其中对Ｈｇ（Ｒｅ） １２２３在２０Ｋ～６０Ｋ范围里Ｕ０和Ｊｃ０近似与温度无关;对Ｈｇ（Ｒｅ） １２３４,Ｕ０和Ｊｃ０与磁场和温度有关．而Ｈｇ １２２３具有幂次方钉扎势Ｕ＝Ｕ０（Ｊｃ０／Ｊ）μ．另外,由磁化曲线Ｍ（Ｈ）的测量得到临界电流密度随磁场的变化关系．结果表明Ｈｇ（Ｒｅ） １２２３在２０Ｋ～９０Ｋ、Ｈｇ（Ｒｅ） １２３４在２０Ｋ～７０Ｋ的温度范围内,临界电流密度随磁场的变化关系均可以用由对数钉扎势得出的Ｊｃ（Ｈ）关系很好地描述．我们认为Ｒｅ掺入引起的体系的各向异性的减小和岛状钉扎中心,使得材料钉扎能力增强并引起Ｕ Ｊ关系的变化
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| 关 键 词： | 汞系超导体 镭掺杂 U－J关系 |
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