|
|||||
|
|
| X射线荧光分析二元合金薄膜的成份 | |
| 引用本文： | 谢侃,郑德娟.X射线荧光分析二元合金薄膜的成份[J].物理,1978(5). |
| 作者姓名： | 谢侃 郑德娟 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所 (谢侃)，中国科学院物理研究所(郑德娟) |
| 摘 要： | 一、引 言 随着薄膜工艺的发展,用蒸发、溅射以及外延的方法制备各种薄膜材料,如磁性薄膜、超导薄膜和半导体薄膜等的工作有了很大的发展.薄膜的成份对其物理特性有直接的影响,所以为了研究薄膜的物理特性,就需要定量地分析它们的成份.本文介绍用X射线荧光分析二元钆钴合金薄膜成份的一种方法.这种方法原则上对任何二元薄膜都适用. 用通常的化学分析方法确定钆钴膜的成份有两个缺点,一是样品的量少,化学分析结果的误差较大;二是破坏了样品.而X射线荧光分析法不仅快速、准确,而且不破坏样品. 用X射线荧光分析成份与用电子探针或离子探针定… |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |