光脉冲对光导开关非线性导通性能的影响 |
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引用本文: | 光脉冲对光导开关非线性导通性能的影响[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 085003. doi: 10.11884/HPLPB201426.085003 |
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作者单位: | 1.中国工程物理研究院应用电子学研究所, 高功率微波技术重点实验室, 四川绵阳 621 900 |
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摘 要: | 设计了异面结构的GaAs光导开关,开关厚度为0.6 mm,电极间隙为3 mm。利用半导体激光二极管对开关进行了触发实验。随着开关两端偏置电压不断升高,开关输出脉冲幅度线性增加,输出波形与光脉冲相似,当偏置电压超过一定阈值,开关输出脉冲幅度显著增强,输出脉冲前沿快于光脉冲,开关进入了非线性工作模式。开关进入非线性模式,除了与偏置电压有关外,还与触发光脉冲前沿、能量有关,实验发现触发光脉冲前沿越快,能量越高,开关越容易进入非线性工作模式,所需的偏置电压也越低,但当电压低至某一阈值时(实验中约6 kV),即使增加触发光能,开关也无法进入非线性模式。
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关 键 词: | 砷化镓 光导开关 非线性 半导体二极管 |
收稿时间: | 2013-09-09 |
修稿时间: | 2014-03-12 |
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