首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

多级PIN限幅器高功率微波效应研究
引用本文:胡凯, 李天明, 汪海洋, 等. 多级PIN限幅器高功率微波效应研究[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 063015. doi: 10.11884/HPLPB201426.063015
作者姓名:胡凯  李天明  汪海洋  周翼鸿
作者单位:1.电子科技大学 物理电子学院, 国家863计划强辐射重点实验室, 成都 61 0054
摘    要:基于PIN二极管电热自洽耦合模型,构建了两级PIN限幅器高功率微波(HPM)效应电路模型。根据模拟模型设计加工了两级限幅器实验样品,限幅器输入、输出特性注入实验数据与模拟计算结果基本一致,验证了多级限幅器模型的有效性,表明该多级PIN限幅器模型能够应用于HPM效应模拟。针对不同HPM波形参数进行了HPM效应模拟,计算结果表明:随着注入功率的增大,脉宽增宽,前级厚I层PIN二极管结温升比后级薄I层PIN二极管结温升要高,因此厚I层PIN二极管更易受到损伤;而频率和前沿参数对结温升影响较小。

关 键 词:电热耦合模型   PIN限幅器   多级   高功率微波效应
收稿时间:2013-11-15
修稿时间:2014-01-30
点击此处可从《强激光与粒子束》浏览原始摘要信息
点击此处可从《强激光与粒子束》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号