| 非对称结构大功率940 nm量子阱激光器 |
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| 引用本文： | 蒋锴, 李沛旭, 张新, 等. 非对称结构大功率940 nm量子阱激光器[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 051022. doi: 10.11884/HPLPB201426.051022 |
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| 作者姓名： | 蒋锴 李沛旭 张新 汤庆敏 夏伟 徐现刚 |
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| 作者单位： | 1.晶体材料国家重点实验室山东大学, 济南 2501 00;;;2.山东华光光电子有限公司, 济南 2501 01 |
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| 摘 要： | 为改善940 nm大功率InGaAs/GaAs半导体激光器输出特性,通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布,并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件。采用低压金属有机物气相沉积（LP-MOCVD）生长技术,获得了低内吸收系数的高质量外延材料,通过实验数据计算得到激光器材料内吸收系数仅为0.44 mm-1。进而通过管芯工艺制作了条宽100 m、腔长2000 m的940 nm半导体激光器器件。25 ℃室温10 A直流连续（CW）测试镀膜后器件阈值电流251 mA,斜率效率1.22 W/A,最大输出功率达到9.6 W,最大光电转化效率超过70%。
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| 关 键 词： | 量子阱激光器 大功率 非对称结构 InGaAs/GaAs 金属有机物化学气相沉积 |
| 收稿时间： | 2013-09-22 |
| 修稿时间： | 2014-02-26 |
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