Tm,Ho双掺杂YV04晶体中Tm对Ho敏化发光现象 |
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引用本文: | 杨文琴.Tm,Ho双掺杂YV04晶体中Tm对Ho敏化发光现象[J].发光学报,2001,22(2). |
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作者姓名: | 杨文琴 |
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摘 要: | 摘要:报道了对Tm,Ho双掺YVO4晶体光谱性能的测量结果,包括用UV-365型分光光度计测出单掺Tm:YVO4及Ho:YVO4吸收谱以及双掺Tm:Ho:YVO4的吸收谱;用Ar离子激光器488nm,LD激光器激发测量样品荧光光谱;用J-O理论进行光谱参数计算及对能级结构进行分析;研究了在λ=805nm的激光二极管激发下Tm对Ho的敏化发光过程。发现与YAG,YLF为基质的Tm,Ho双掺材料相比,该材料中的Tm3+离子具有大而均匀的吸收宽度(~26nm),大的峰位吸收截面和积分吸收截面(~1.4×10-20cm2和274.5×10-20
cm),能量转换效率高(可达87%),且泵浦阈值低(~15mW)。表明了YVO4晶体中Tm能有效地敏化Ho,并产生2μm的发射。文中对发射强度与泵浦功率及Tm,Ho之间掺杂浓度的关系进行了初步的分析与讨论。光谱的观察结果表明:在实现LD泵浦,全固体化,小型,高效的,2μm激光振荡的探索中,Tm:Ho:YVO4晶体将是一种很有实际应用潜力的材料。
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关 键 词: | Tm:Ho:YVO4晶体 敏化 2μm发射 |
Sensitized Luminescence of Ho3+ by Tm3+ in Tm, Ho Co-doped YVO4 Crystal |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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