| 干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究 |
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| 作者姓名： | 曹萌 吴惠桢 刘成 劳燕锋 黄占超 谢正生 张军 江山 |
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| 作者单位： | (1)武汉邮电科学研究院,武汉 430074; (2)中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050; (3)中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050;中国科学院研究生院,北京 100039 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀. 实验结果表明,干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强. 干法刻蚀过程不仅增加了材料表面粗糙度,同时使其内部微结构发生变化. 采用湿法腐蚀方法去除表面变粗糙对量子阱发光特性的影响,得到干法刻蚀覆盖层20 nm后应变单量子阱微结构变化和其表面粗糙度变化两个因素分别使荧光强度提高1.8倍和1.2倍的结果.
关键词：
干法刻蚀
应变多量子阱
光致发光谱
损伤
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| 关 键 词： | 干法刻蚀 应变多量子阱 光致发光谱 损伤 |
| 文章编号： | 1000-3290/2007/56(02)/1027-05 |
| 收稿时间： | 2006-05-04 |
| 修稿时间： | 2006-05-04 |
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