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| InAs和InAs/GaSb异质结的MOCVD生长和表征 | |
| 作者姓名： | 周天明 张宝林 |
| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所, 长春 130021 |
| 基金项目： | 国家‘863’高技术课题 |
| 摘 要： | 以三甲基铟(TMIn)、砷烷(AsH3)、三甲基镓(TMGa)和三甲基锑(TMSb)为源,用水平常压MOCVD技术,在较低的Ⅴ/Ⅲ比的条件下(1.5～4)于GaAs和GaSb衬底上成功地生长了InAs合金和InAs/GaSb异质结。实验表明,生长温度在500℃～620℃范围内,InAs外延生长是扩散控制的。在Ⅴ/Ⅲ比为2.5时,生长效率(相对Ⅲ族源)为3×103μm/mol.不掺杂InAs外延层为n型的,室温迁移率为2000cm2/V.s.InAs/GaSb异质结的12KPL谱为一个在375meV处较宽的与杂质相关的跃迁峰,和一个在417meV附近的几乎被杂质峰湮没的带边峰. |
| 关 键 词： | InAs MOCVD 异质结 |
| 收稿时间： | 1997-03-14 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |