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| 制备集成微通道的表面增强拉曼基底 | |
| 作者单位： | ;1.西华师范大学物理与电子信息学院;2.重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室 |
| 摘 要： | 本文介绍一种集成微通道的表面增强拉曼基底。采用湿法刻蚀方法在硅片上形成微通道,然后电子束蒸发沉积金薄膜,最后在300℃温度下高真空退火30分钟,使微通道内形成均匀且高密度的金纳米颗粒结构。用场发射扫描电子显微镜(SEM)对基底表面进行表征发现:金膜厚度对基底的表面形貌影响很大,5nm厚的金膜在退火后形成了均匀的高密度的纳米颗粒结构,而10nm厚的金膜退火后没有得到高密度纳米颗粒结构。用10-6 M的罗丹明6G作为探测分子进行拉曼实验测试结果同样表明:5nm厚的金膜退火后形成高密度的金纳米颗粒显著地增强了R6G拉曼信号。同时,对比了宽度分别为25、60、110!m三种尺寸的微通道的基底表面形貌和拉曼增强效应,微通道尺寸对表面形貌和拉曼增强效应影响均很小。 |
| 关 键 词： | 表面增强拉曼 金纳米颗粒 微通道 基底 |
Preparation a Surface Enhanced Raman Substrate of Integrated Micro-Channel |
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