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高温超导及GaN衬底材料(La,Sr)(Al,Ta)O3晶体的生长
引用本文:陶德节,闫如顺,刘福云,郭行安,徐小冬,江小平,胡欢陵. 高温超导及GaN衬底材料(La,Sr)(Al,Ta)O3晶体的生长[J]. 人工晶体学报, 2002, 31(3): 318-320
作者姓名:陶德节  闫如顺  刘福云  郭行安  徐小冬  江小平  胡欢陵
作者单位:中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031;合肥科晶材料技术有限公司,合肥,230031;合肥科晶材料技术有限公司,合肥,230031;中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031
摘    要:用提拉法生长了高质量、大尺寸、具有混合钙钛矿结构的(La,Sr)(Al,Ta)O3晶体(LSAT),晶体尺寸达55mm×50mm.讨论了晶体生长有关工艺,并对晶体的完整性进行了初步研究.

关 键 词:超导  GaN  衬底  LSAT晶体  生长
文章编号:1000-985X(2002)03-0318-03
修稿时间:2002-01-14

Growth of (La,Sr)(Al,Ta)O3 Single Crystal as Substrates for High-Tc Superconductors and GaN Epitaxial Growth
Abstract:
Keywords:GaN
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