| 原子层沉积Al2O3/n-GaN MOS结构的电容特性 |
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| 作者姓名： | 闫大为 李丽莎 焦晋平 黄红娟 任舰 顾晓峰 |
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| 作者单位： | 轻工过程先进控制教育部重点实验室, 江南大学电子工程系, 无锡 214122 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,江苏省自然科学基金,中央高校基本科研业务费专项资金,江苏高校优势学科建设工程项目、江苏省六大人才高峰项目,江苏省普通高校研究生创新计划( |
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| 摘 要： | 利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电 极的Ni/Au/Al2O3/n-GaN金属-氧化物-半导体结构, 研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响, 分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源. 在无光照情形下, 由于极长的电子发射时间与极慢的少数载流子热产生速率, 样品的室温电容-电压扫描曲线表现出典型的深耗尽行为, 且准费米能级之上占据深能级界面态的电子状态保持不变. 当器件受紫外光照射时, 半导体耗尽层内的光生空穴将复合准费米能级之上的深能级界面态电子, 同时还将与氧化层内部的深能级施主态反应. 非理想样品积累区电容的下降可归因于绝缘层漏电导的急剧增大, 其诱发机理可能是与氧化层内的缺陷态及界面质量有关的“charge-to-breakdown”过程.
关键词：
原子层沉积
2O3/n-GaN')" href="#">Al2O3/n-GaN
金属-氧化物-半导体结构
电容特性
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| 关 键 词： | 原子层沉积 Al2O3/n-GaN 金属-氧化物-半导体结构 电容特性 |
| 收稿时间： | 2013-04-06 |
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