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| 累积辐照影响静态随机存储器单粒子翻转敏感性的仿真研究 | |
| 作者姓名： | 丁李利 郭红霞 陈伟 闫逸华 肖尧 范如玉 |
| 作者单位： | 1. 西北核技术研究所, 西安 710024;2. 清华大学工程物理系, 北京 100084 |
| 摘 要： | 基于解析分析对比了大尺寸与深亚微米尺度下静态随机存取存储器(static random access memory, SRAM)单元单粒子翻转敏感性的表征值及引入累积辐照后的变化趋势. 同时借助仿真模拟计算了0.18 μm工艺对应的六管SRAM单元在对应不同累积剂量情况下, 离子分别入射不同中心单管时的电学响应变化, 计算结果与解析分析所得推论相一致, 即只有当累积辐照阶段与单粒子作用阶段存储相反数值时, SRAM单元的单粒子翻转敏感性才会增强.
关键词：
累积辐照
单粒子翻转
静态随机存储器
器件仿真 |
| 关 键 词： | 累积辐照 单粒子翻转 静态随机存储器 器件仿真 |
| 收稿时间： | 2013-05-02 |
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