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| 用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜 | |
| 作者姓名： | 张宏 吴艺雄 王智河 周锷猷 任琮欣 江炳尧 牟海川 柳襄怀 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所,上海,200050;中国科学院离子束开放实验室,上海,200050 |
| 摘 要： | 用低压ＭＯＣＶＤ多源法在单晶ＹＳＺ和具有双轴取向ＩＢＡＤ ＹＳＺ的金属基带上沉积了ＹＢ ＣＯ膜,它们的Ｊｃ（７７．３Ｋ,０Ｔ）分别为～２×１０６Ａ／ｃｍ２和～７×１０４Ａ／ｃｍ２．分析了本试验中的Ｊｃ差别原因．在单晶ＹＳＺ上ＹＢＣＯ高Ｊｃ数值显示了用ＭＯＣＶＤ制备涂层膜导体的潜力 |
| 关 键 词： | YBCO 薄膜沉积 MOCVD YSZ衬底 |
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