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| 锗上等离子体氧化膜的红外吸收光谱 | |
| 引用本文： | 刘春荣,戚震中.锗上等离子体氧化膜的红外吸收光谱[J].光学学报,1986(7). |
| 作者姓名： | 刘春荣 戚震中 |
| 作者单位： | 安徽大学物理系 (刘春荣)，中国科学院固体物理研究所(戚震中) |
| 摘 要： | 在高频激发的氧等离子体中实现了锗的阳极氧化.用IR-450S型红外分光光度计测量了锗上等离子体阳极氧化膜的红外透射比.实验指出,该氧化模靠近870cm~(-1)、560cm~(-1)各有一个红外吸收带.红外吸收数据与Sen和Thorpe的中心力网络模型的振动带边相结合,算出锗氧化膜的Ge-O键伸缩力常数α=439N/m,Ge-O-Ge键角θ=129°. |
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