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Sb吸附在InP(110)表面电子性质的理论研究
引用本文:王松有,贾瑜,石寿珠,马丙现,陈良尧. Sb吸附在InP(110)表面电子性质的理论研究[J]. 物理学报, 1999, 48(7): 1334-1339
作者姓名:王松有  贾瑜  石寿珠  马丙现  陈良尧
作者单位:(1)复旦大学物理系,上海 200433; (2)华北水利水电学院,郑州 450045; (3)郑州大学物理工程学院,郑州 450052
基金项目:河南省自然科学基金(批准号:984040500)资助的课题.
摘    要:利用形式散射的格林函数方法,研究了Sb在InP(110)表面单层吸附时的电子性质.分别计算了清洁的InP(110)弛豫表面和InP(110)-Sb(1ML)体系的表面态的性质,指出了表面态和表面共振态产生的原因.所得结果与实验相符.关键词

关 键 词:磷化铟 电子性质 表面态 锑 吸附
收稿时间:1998-10-15

ELECTRONIC STRUCTURE OF Sb ON InP(110) SURFACE STUDIED THEORETICALLY
WANG SONG-YOU,JIA YU,SHI SHOU-ZHU,MA BING-XIAN and CHEN LIANG-YAO. ELECTRONIC STRUCTURE OF Sb ON InP(110) SURFACE STUDIED THEORETICALLY[J]. Acta Physica Sinica, 1999, 48(7): 1334-1339
Authors:WANG SONG-YOU  JIA YU  SHI SHOU-ZHU  MA BING-XIAN  CHEN LIANG-YAO
Abstract:Based on the tight binding scattering theoretical method, the electronic strucutre of Sb adsorped on the surface of InP(110) is studied. Surface states and surface resonances are identified from the calculated local density of states along the four zone boundaries of the (110) surface Brillouin zone. Some results are in good agreement with the experiment and better than other theoretical results.
Keywords:
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