| 高功率盒形窗内次级电子倍增效应 |
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| 引用本文： | 张雪, 徐强, 王勇, 等. 高功率盒形窗内次级电子倍增效应[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 023004. doi: 10.11884/HPLPB201628.023004 |
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| 作者姓名： | 张雪 徐强 王勇 楚君 王梦蛟 段斌 |
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| 作者单位： | 1.湘潭大学 信息工程学院, 湖南 湘潭 41 1 1 05;;;2.中国科学院 电子学研究所 高功率微波源与技术重点实验室, 北京 1 001 49;;;3.中国科学院大学, 北京 1 001 49 |
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| 摘 要： | 以S波段高功率盒型窗为对象,采用Monte Carlo模拟方法对盒型窗内的次级电子倍增效应进行研究,探索次级电子的倍增规律。模拟得到了盒型窗内TE11模和TM11模共同作用下,两种陶瓷窗片表面次级电子倍增活跃的区域随传输功率的变化特点。在低传输功率下,次级电子仅在未镀膜窗片表面被激励,并以双面倍增的方式在金属法兰与镀膜窗片相对应的区域增长;在较高的传输功率下,窗片表面的次级电子将以单面倍增的方式活跃在窗片表面与波导口相对的区域。传输功率的升高使得镀膜窗片表面的次级电子倍增活跃区域转移到矩形波导窄边对应的区域,并加剧了未镀膜窗片表面的局部倍增效应。
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| 关 键 词： | 速调管 盒形窗 次级电子倍增效应 蒙特卡罗模拟 |
| 收稿时间： | 2015-09-06 |
| 修稿时间： | 2015-11-20 |
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