| 4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性 |
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| 引用本文： | 吴健, 雷家荣, 蒋勇, 等. 4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 1793-1797. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1793 |
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| 作者姓名： | 吴健 雷家荣 蒋勇 陈雨 荣茹 范晓强 |
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| 作者单位： | 1.中国工程物理研究院 核物理与化学研究所, 四川 绵阳 621 900;;2.中国工程物理研究院 中子物理重点实验室, 四川 绵阳 621 900 |
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| 摘 要： | 针对极端环境下耐辐照半导体核探测器的研制需求,采用耐高温、耐辐照的4H碳化硅(4H-SiC)宽禁带材料制成肖特基二极管,研究了该探测器对241Am源粒子的电荷收集效率。从电容-电压曲线得出该二极管外延层净掺杂数密度为1.991015/cm3。从正向电流-电压曲线获得该二极管肖特基势垒高度为1.66 eV,理想因子为1.07,表明该探测器具备良好的热电子发射特性。在反向偏压高达700 V时,该二极管未击穿,其漏电流仅为21 nA,具有较高的击穿电压。在反向偏压为0~350 V范围内研究了该探测器对3.5 MeV 粒子电荷收集效率,在0 V时为48.7%,在150 V时为99.4%,表明该探测器具有良好的电荷收集特性。
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| 关 键 词： | 电荷收集效率 半导体探测器 宽禁带半导体 4H碳化硅 |
| 收稿时间： | 2012-09-28 |
| 修稿时间： | 2012-12-19 |
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