| 2.0 μm 波段Sb基多量子阱材料的制备 |
| |
| 引用本文： | 李占国, 尤明慧, 邓昀, 等. 2.0 μm 波段Sb基多量子阱材料的制备[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 505-507. doi: 10.3788/HPLPB20132502.0505 |
| |
| 作者姓名： | 李占国 尤明慧 邓昀 刘国军 李林 高欣 曲轶 王晓华 |
| |
| 作者单位： | 1.长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 1 30022;;;2.空军航空大学 基础部, 长春 1 30022 |
| |
| 摘 要： | 采用分子束外延外延生长技术,优化InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱点材料的生长速率、生长温度和束流比等生长参数,获得了高质量的多量子阱材料。室温光荧光谱表明,材料的发光波长为2.0 m左右。该结果表明,通过优化生长条件和结构参数制备的量子阱材料,可以获得良好的结构质量和光学特性。所制备的器件室温条件下输出功率22 mW,阈值电流300 mA。
|
| 关 键 词： | 多量子阱 分子束外延 中红外波段 |
| 收稿时间： | 2012-05-30 |
| 修稿时间： | 2012-07-04 |
|
| 点击此处可从《强激光与粒子束》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《强激光与粒子束》下载全文 |
|
