非晶态半导体的发光

本文是一篇关于非晶态半导体发光的评论,涉及的材料是硫系玻璃、硅和砷,描述了它们的发光光谱,激发光谱、温度依赖关系和寿命。 硫系化合物中的辐射跃迁是导带尾中的一个电子和一个俘获空穴的复合,强的电子——声子耦合使俘获空穴附近的晶格发生畸变并降低它的能量。这种相互作用决定了它的发光带较宽,而且位于大约禁带宽度一半的位置。作者认为复合中心是一个带电的悬键,在砷的硫系化合物中,浓度是10~(17)cm~(-3),在非晶态硒中是10~(16)cm~(-3)。在空穴漂移迁移率和热激电导率方面也观察到同样的中心。 非晶态硅的发光也起源于导带尾和深中心之间的复合,可鉴别出三种分离的跃迁。和硫系化合物不同,它的电子——声子耦合不强。光谱的形状和强度对样品的制备和处理很敏感,而且和硅的其他电学、光学性质有关。