| HgCdTe反型层的磁输运性质 |
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| 作者姓名： | 高矿红 魏来明 俞国林 杨睿 林铁 魏彦锋 杨建荣 孙雷 戴宁 褚君浩 |
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| 作者单位： | 华东师范大学信息科学技术学院, 极化材料与器件教育部重点实验室, 上海 200062;中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所, 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所, 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083;华东师范大学信息科学技术学院, 极化材料与器件教育部重点实验室, 上海 200062;中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(批准号: 2007CB924901), 国家自然科学基金(批准号: 60976093), 中国博士后科学基金(批准号: 20100480033), 上海技物所创新专项(批准号: Q-ZY-5)和 上海科委基金(批准号: 09JC1415700)资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用成本低廉的液相外延技术, 成功制备了具有金属-绝缘体-半导体结构的HgCdTe场效应管器件. 在该器件中, 观察到清晰的Shubnikov-de Hass振荡和量子霍尔平台, 证明样品具有较高的质量. 测量零场附近的磁阻曲线, 在HgCdTe-基器件中观察到反弱局域效应, 表明样品中存在较强的自旋-轨道耦合作用. 利用Iordanskii-Lyanda-Pikus理论, 很好地拟合了反弱局域曲线. 由拟合得到的自旋分裂能随电子浓度的增大而增大, 最大达到9.06 meV. 根据自旋分裂能得到的自旋-轨道耦合系数同样随电子浓度的增大而增大, 与沟道较宽的量子阱中所得到的结果相反.
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| 关 键 词： | 二维电子气 HgCdTe 反弱局域效应 |
| 收稿时间： | 2012-02-27 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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