| HCOO在Cu(110)、Ag(110)和Au(110)表面的吸附 |
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| 作者姓名： | 庞先勇 邢斌 王贵昌 JUNJI Nakamura |
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| 作者单位： | College of Chemistry and Chemical Engineering, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, P. R. China,Center of Theoretical Computational Chemistry, College of Chemistry, Nankai University, Tianjin 300071, P. R. China,Institute of Scientific and Industrial Research (ISIR), Osaka University, 8-1 Mihogaoka, Osaka 567-0047, Japan,Institute of Materials Science, University of Tsukuba, Tennoudai 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,南开之星资助项目 |
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| 摘 要： | 采用密度泛函理论(DFT)以及广义梯度近似方法(GGA)计算了甲酸根(HCOO)在Cu(110)、Ag(110)和Au(110)表面的吸附. 计算结果表明, 短桥位是最稳定的吸附位置, 计算的几何参数与以前的实验和计算结果吻合. 吸附热顺序为Cu(110)(-116 kJ·mol-1)>Ag(110)(-57 kJ·mol-1)>Au(110)(-27 kJ·mol-1), 与实验上甲酸根的分解温度相一致. 电子态密度分析表明, 吸附热顺序可以用吸附分子与金属d-带之间的Pauli 排斥来关联, 即排斥作用越大, 吸附越弱. 另外还从计算的吸附热数据以及实验上HCOO的分解温度估算了反应CO2+1/2H2→HCOO的活化能, 其大小顺序为Au(110)>Ag(110)>Cu(110).
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| 关 键 词： | 化学吸附 甲酸根 Cu(110) Ag(110) Au(110) DFT-GGA-slab |
| 收稿时间： | 2009-02-19 |
| 修稿时间： | 2009-03-18 |
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