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掺铕钼酸钆荧光粉的制备与发光性能分析
引用本文:冯文林,李铁,陈志,张盈,曾超,杨蕾.掺铕钼酸钆荧光粉的制备与发光性能分析[J].发光学报,2011,32(11):1143-1146.
作者姓名:冯文林  李铁  陈志  张盈  曾超  杨蕾
作者单位:1. 重庆理工大学 光电信息学院, 重庆 400054; 2. 重庆理工大学 化工学院, 重庆 400054; 3. 重庆大学 光电工程学院, 重庆 400044; 4. 中国科学院 国际材料物理中心, 辽宁 沈阳 110016
基金项目:中国博士后基金(20100470811); 重庆市科委项目(cstcjjA50005); 重庆理工大学科研创新团队项目资助
摘    要:通过共沉淀法制备了红色荧光粉Gd2-xEux(MoO4)3,并采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱对所制备的样品进行结构表征分析,讨论了不同掺杂量下合成的荧光材料的发光性质。研究结果表明:所制备的Gd2-xEux(MoO4)3红色荧光粉的三处激发峰分别位于394,465,534 nm。发射光谱中在589 nm和613 nm处有很强的发射峰,其中最强发射峰位于613 nm左右,与Eu3+5D07F2跃迁对应。随着Eu3+掺杂量的增加,所合成的荧光粉的发光强度逐渐增强。在三组实验结果中,Gd1.4Eu0.6(MoO4)3(x=0.6)的发光强度最强。

关 键 词:Gd2-xEux(MoO4)3荧光粉  共沉淀法  发光
收稿时间:2011-07-28

Synthesis and Luminescent Properties of Eu~(3+) Doped Ga_2(MoO_4)_3 Phosphors
FENG Wen-lin,LI Tie,CHEN Zhi,ZHANG Yin,ZENG Cao,YANG Lei.Synthesis and Luminescent Properties of Eu~(3+) Doped Ga_2(MoO_4)_3 Phosphors[J].Chinese Journal of Luminescence,2011,32(11):1143-1146.
Authors:FENG Wen-lin  LI Tie  CHEN Zhi  ZHANG Yin  ZENG Cao  YANG Lei
Institution:1. School of Optoelectronic Information, Chongqing University of Technology, Chongqing 400054, China; 2. School of Chemical Engineering, Chongqing University of Technology, Chongqing 400054, China; 3. College of Optoelectronic Engineering, Chongqing University, Chongqing 400044, China; 4. International Centre for Materials Physics, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China
Abstract:Gd2-xEux(MoO4)3 red phosphors are synthesized by using co-precipitation method.X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM) and fluorescence spectrum are used to characterize the structure and luminescent property of the samples.The luminescent properties of Gd2-xEux(MoO4)3 with various concentration of Eu3+ are investigated in detail.The results show that three dominant bands locate at 394,465,534 nm.The emission spectra exhibit the most intense emission at 589 nm and 613 nm,especially the late...
Keywords:Gd2-xEux(MoO4)3 phosphor  co-precipitation method  luminescence  
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