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ZnO材料电子结构的第一性原理计算研究*
引用本文:汪志刚,张杨,文玉华.ZnO材料电子结构的第一性原理计算研究*[J].原子与分子物理学报,2010,27(4):801-806.
作者姓名:汪志刚  张杨  文玉华
作者单位:1. 乐山师范学院物理与电子工程学院,乐山,614004;厦门大学物理系,厦门大学理论物理与天体物理研究所,厦门,361005
2. 厦门大学物理系,厦门大学理论物理与天体物理研究所,厦门,361005
基金项目:国家自然科学基金(批准号: 10702056)和福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划资助的课题
摘    要:本文采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法,研究了ZnO的纤锌矿结构、类石墨结构、闪锌矿结构和氯化钠结构的电子结构。结果表明:ZnO的纤锌矿结构是这四种结构中最稳定的结构;ZnO是一个离子性较强而共价键较弱的混合键金属氧化物半导体材料;ZnO的氯化钠结构是典型的间接带隙能带结构,其余均是直接带隙半导体能带结构。

关 键 词:ZnO  第一性原理  态密度  能带结构  结合能

First-Principles Study of Electronic Structure of ZnO
WANG Zhi-Gang,ZHANG Yang,WEN Yu-Hua.First-Principles Study of Electronic Structure of ZnO[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2010,27(4):801-806.
Authors:WANG Zhi-Gang  ZHANG Yang  WEN Yu-Hua
Abstract:
Keywords:
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