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| Ga掺杂ZnS的电子结构和光学性质简 | |
| 作者姓名： | 李建华 崔元顺 陈贵宾 |
| 作者单位： | 淮阴师范学院,淮阴师范学院,淮阴师范学院 |
| 摘 要： | 本文基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对ZnS闪锌矿结构掺入杂质Ga体系进行结构优化处理.计算了该体系下ZnS材料的电子结构和光学性质.详细分析了其平衡晶格常数、能带结构、电子态密度分布和光学性质.结果表明:由于杂质Ga的引入,ZnS体系体积略有膨胀,并在费米面附近出现了深施主能级,单纯的通过Ga掺杂来实现低阻n型ZnS材料较为困难;由于杂质能级的引入,整个介电峰向低能方向偏移,电子在可见光区的跃迁显著增强. |
| 关 键 词： | 硫化锌 Ga掺杂 电子结构 光学性质 |
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