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| pMOS金属栅极材料的研究进展 | |
| 引用本文： | 杨智超, 黄安平, 肖志松. pMOS金属栅极材料的研究进展[J]. 物理, 2010, 39(02): 113-122. |
| 作者姓名： | 杨智超 黄安平 肖志松 |
| 作者单位： | 1.北京航空航天大学物理系 北京 100191 |
| 摘 要： | 随着金属氧化物半导体场效应管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs）等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅极已应用于新型MOSFET器件,改善了与高k栅介质的兼容性,并消除了传统多晶硅栅极的栅耗尽及硼穿透等效应.文章综述了pMOS器件金属栅极材料的发展历程、面临的主要问题以及未来的研究趋势等. |
| 关 键 词： | pMOS 金属栅极 高k栅介质 功函数 界面偶极子 |
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