| 电子回旋共振微波等离子体刻蚀α:CH薄膜的工艺 |
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| 引用本文： | 陆晓曼, 张继成, 吴卫东, 等. 电子回旋共振微波等离子体刻蚀α:CH薄膜的工艺[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(04). |
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| 作者姓名： | 陆晓曼 张继成 吴卫东 朱永红 郭强 唐永建 孙卫国 |
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| 作者单位： | 1.中国工程物理研究院 激光聚变研究中心, 四川 绵阳 621 900;;;2.四川大学 原子与分子研究所, 成都 61 0065;;;3.四川大学 物理科学与工程学院, 成都 61 0065 |
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| 摘 要： | 为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的α:CH薄膜微器件,研究了有铝和无铝掩膜、气体流量比、工作气压对刻蚀速率的影响,并对纯氧等离子体刻蚀稳定性进行了研究。研究结果表明：在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;a:CH薄膜上有铝和无铝掩膜时,刻蚀速率相同;流量一定时,刻蚀速率随氩气和氧气体积比的增大而降低,当用纯氩气时,几乎没刻蚀作用;刻蚀速率随工作气压的增大而降低。实验中,得到最佳刻蚀条件是：纯氧气,流量4 mL·s-1,工作气压9.9×10-2 Pa,微波源电流80 mA,偏压-90 V。
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| 关 键 词： | 离子刻蚀 电子回旋共振微波等离子体 a:CH薄膜 微齿轮 |
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