| InGaAs/Si键合界面a-Si键合层厚度对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能的影响 |
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| 引用本文： | 佘实现,张烨,黄志伟,等. InGaAs/Si键合界面a-Si键合层厚度对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能的影响［J］.光子学报,2022,51（2）：0251218DOI：10.3788/gzxb20225102.0251218 |
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| 作者姓名： | 佘实现 张烨 黄志伟 周锦荣 柯少颖 |
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| 作者单位： | .闽南师范大学 物理与信息工程学院, 福建 漳州 363000 |
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| 基金项目： | National Natural Science Foundation of China(62004087);Natural Science Foundation of Fujian Province(2020J01815);Natural Science Foundation of Zhangzhou(ZZ2020J32) |
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| 摘 要： | 为从根本上阻断InGaAs/Si之间的失配晶格,获得低噪声的InGaAs/Si雪崩光电二极管,理论上在InGaAs/Si键合界面插入超薄a-Si键合层,彻底隔断键合界面异质晶格,同时保证InGaAs吸收层和Si倍增层超高的晶体质量和良好的电学传输.模拟了a-Si键合层厚度对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能影响.由于...
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| 关 键 词： | InGaAs/Si键合 雪崩光电二极管 a-Si键合层 晶格失配 异质键合 |
| 收稿时间： | 2021-08-17 |
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