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| 连续馈料硅单晶拉制法 | |
| 引用本文： | 孙膺九 ,麦振洪.连续馈料硅单晶拉制法[J].物理,1984(4). |
| 作者姓名： | 孙膺九 麦振洪 |
| 摘 要： | 常规CZ法拉制的晶体中的各种不均匀性,主要是由于晶体生长中熔休体积变化引起的生长动力学的非稳态性质造成的.美国siltee公司提出了一种从小量等体积熔体中生长晶体的连续馈料晶体拉制法,并用这种方法从8公斤熔体中拉制出直径为150毫米的P型<100>硅单晶1].这种装置的关键部件包括:多晶熔化器、熔体输运系统和生长室中的熔体液面位置控制机构.液面控制机构的分辨率为0.02时.多晶馈料机构适于供给棒、块或粉末.补充熔体的精确的温度调节也是很重要的.由于存在大的表面张力,使输运系统不能精确地定量(0.2-0.3毫升/秒)输运熔融硅,应用虹吸原… |
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