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| 磷掺杂纳米硅薄膜的研制 | |
| 作者姓名： | 刘明 王子欧 奚中和 何宇亮 |
| 作者单位： | (1)北京大学电子工程系,北京 100871; (2)北京大学微电子中心,北京 100871; (3)南京大学固体微结构物理国家实验室,南京 210093; (4)中国科学院微电子中心,北京 100029 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：19374009)资助的课题. |
| 摘 要： | 用PECVD薄膜沉积方法,成功地制备了磷掺杂纳米硅(nc-Si:H(P))薄膜.用扫描隧道电镜(STM)、Raman散射、傅里叶变换红外吸收(FTIR)谱、电子自旋共振(ESR)、共振核反应(RNR)技术对掺磷纳米硅进行了结构分析,确认了样品的微结构为纳米相结构.掺磷后膜中纳米晶粒的平均尺寸d减小,一般在25—45nm之间,且排列更加有序.掺磷nc-Si:H膜具有较高的光吸收系数,光学带隙在173—178eV之间,和本征nc-Si:H相同.掺杂nc-Si:H薄膜电导率在10-1关键词： |
| 关 键 词： | 磷掺杂纳米硅 薄膜 PECVD STM |
| 收稿时间： | 1999-06-23 |
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