| ZnSe/GaAs(100)界面电子结构的计算 |
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| 引用本文： | 杨仕娥,马丙现,贾 瑜,申三国,范希庆. ZnSe/GaAs(100)界面电子结构的计算[J]. 物理学报, 1998, 47(10): 1704-1712 |
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| 作者姓名： | 杨仕娥 马丙现 贾 瑜 申三国 范希庆 |
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| 作者单位： | 郑州大学材料物理重点实验室，郑州 450052 |
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| 基金项目： | 河南省自然科学基金资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用形式散射理论的格林函数方法，采用紧束缚最近邻近似下的sp3s模型，计算了ZnSe/GaAs(100)两类界面(Se/Ga和As/Zn界面)的电子结构.分别给出了两类界面的界面带结构和波矢分辨的层态密度及其分波态密度.计算结构表明，在ZnSe/GaAs(100)两类界面的禁带隙中均无界面态，而在其价带区均存在三条束缚的界面带和四条半共振带；通过比较，分析了两类界面的界面态特征及其来源.关键词：
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| 关 键 词： | 散射理论 密度 砷化镓 硒化镓 界面 电子结构 |
| 收稿时间： | 1997-12-22 |
ELECTRONIC STRUCTURE OF THE ZnSe/GaAs(100) INTERFACES |
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| YANG SHI-E,MA BING-XIAN,JIA YU,SHEN SAN-GUO and FAN XI-QING. ELECTRONIC STRUCTURE OF THE ZnSe/GaAs(100) INTERFACES[J]. Acta Physica Sinica, 1998, 47(10): 1704-1712 |
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| Authors: | YANG SHI-E MA BING-XIAN JIA YU SHEN SAN-GUO FAN XI-QING |
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| Abstract: | We present results of a theoretical calculation of the electronic structure of the two polar ZnSe/GaAs(100) interfaces. The bulk electronic structure is described by the nearest neighbor tight binding formalism. Using the scattering theoretical method, we have obtained wave vector-resolved interface layer densities of states and the interface band structure. For both Se/Ga and As/Zn interfaces, there exist no interface states in the fundamental gap, but there are three interface bands and four semi-resonance bands in the valence-band region. Finally, we study the nature and origins of these bands by analysing orbital-resolved layer densities of states. |
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