| 分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构 |
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| 引用本文： | 王绍青,刘全补,叶恒强. 分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构[J]. 物理学报, 1998, 47(11): 1858-1861 |
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| 作者姓名： | 王绍青 刘全补 叶恒强 |
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| 作者单位： | (1)英国剑桥大学材料科学与冶金学系,英国剑桥 CB2 3QZ; (2)中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室,沈阳 110015; (3)中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室,沈阳 110015;英国剑桥大学材料科学与冶金学系,英国剑桥 CB2 3QZ |
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| 基金项目： | 国家攀登计划和英国皇家学会基金资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用高分辨电子显微术，对在GaP基体上由分子束外延生长六角GaN晶体薄膜中的晶体缺陷结构进行了研究．实验中发现了GaN薄膜外延生长过程中产生的一种典型早期刃型位错结构．此晶体缺陷位于一大块GaN晶粒内部，其外观类似于一段（1120）晶界．它由一条（1120）高能孤立晶界段及其两端的两个1/6［1120］不完全刃型位错组成．从大晶格失配材料之间分子束外延生长的机理上对这种缺陷结构的形成进行了解释．关键词：
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| 关 键 词： | 位错结构 氮化镓 薄膜 分子束外延生长 |
| 收稿时间： | 1998-04-20 |
AN INCIPIENT EDGE DISLOCATION IN EPITAXIAL WURTZITE GaN |
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| WANG SHAO-QING,LIU QUAN-PU and YE HENG-QIANG. AN INCIPIENT EDGE DISLOCATION IN EPITAXIAL WURTZITE GaN[J]. Acta Physica Sinica, 1998, 47(11): 1858-1861 |
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| Authors: | WANG SHAO-QING LIU QUAN-PU YE HENG-QIANG |
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| Abstract: | A structural defect of incipient edge dislocation in epitaxial wurtzite GaN film is confirmed in this paper. The defect is observed as an isolated (1120) boundary segment within one large perfect crystal area by high-resolution electron microscopy. It has the local atom configuration as a part of (1120) high-energy like-atom bonding boundary together with two 1/6［1120］ partial edge dislocations at its two ends. The origin of the defect is explored from the mechanism of epitaxial growth. |
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