| GaAs均匀点状结构的分子束外延图形生长 |
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| 作者姓名： | 牛智川 周增圻 吴荣汉 封松林 R.NOETZEL U.JAHN K.H.PLOOG |
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| 作者单位： | (1)Paul-Drude-Institut For Solid State Electronics,Hausvogteiplatz 5-7,D-10117,Germany; (2)中国科学院半导体研究所,北京 100083 |
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| 摘 要： | 报道了在(311)A腐蚀图形衬底上,用分子束外延(MBE)生长高度规则的三种点状结构的实验研究.样品表面的原子力显微镜和剖面的扫描电子显微镜测试结果表明,在不同尺寸的方形凹面腐蚀图形区域,原凹面之间形成了沿［233］晶向不完全和完全收缩的尖角形点状外延结构;而在方形台面腐蚀图形区域,台顶面之间形成了沿［233］方向收缩的脊形点状结构.分析认为这些均匀有序的三角形点状结构的形成是由非平面(311)A衬底上生长各向异性导致的必然结果,而构成这些点结构的晶面取向与原图形的取向相关.低温阴极荧光谱测试结果清晰地表
关键词：
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| 关 键 词： | 腐蚀图形 砷化镓 分子束外延 图形生长 |
| 收稿时间： | 1997-07-18 |
| 修稿时间： | 1998-02-06 |
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