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| 热氧化硅内表面薄层的显微观测 | |
| 引用本文： | 曾庆城,钟仕科,倪敏,王水凤.热氧化硅内表面薄层的显微观测[J].南昌大学学报(理科版),1980,4(1):1. |
| 作者姓名： | 曾庆城 钟仕科 倪敏 王水凤 |
| 作者单位： | 江西大学物理系； 江西大学物理系； |
| 摘 要： | 采用“磨角—干涉仪法”对热氧化硅的表面进行了显微观测,发现在si—sio2界面附近硅一侧的内表面存在着氧的扩散层,厚度在1,000—2,000埃之间。对于影响表面薄层的工艺因素作了实验性的检测。文中附有实验照片。 |
| 关 键 词： | 内表面 湿氧氧化 高温热氧化 干涉仪法 离子注入 磨角 干涉显微镜 氧化硅 热氧化工艺 显微观测 |
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