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| 808nm无铝大功率量子阱激光器 | |
| 作者姓名： | 王立军 武胜利 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院长春物理研究所, 长春 130021;2. 中国科学院激发态物理开放研究实验室, 长春 130021 |
| 基金项目： | “863”计划,国家自然科学基金,中国科学院院长基金 |
| 摘 要： | 报导了用低压(LP)-MOCVD方法研制出808nm无铝InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱分别限制异质结构大功率激光器(SCHSQW),器件外微分量子效率为65%,阈值电流密度400A/cm2,特征温度120℃,对于100μm条宽、1000μm腔长宽接触激光器,室温连续输出光功率达1瓦以上,并讨论了无铝大功率激光器的阈值、光谱等特性. |
| 关 键 词： | 半导体激光器 量子阱器件 |
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